MOS管

MOS是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）
英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

G-gate（栅极），S-source（源极），D-drain（漏极）。
D(Drain)漏极：载流子（NMOS为负电荷，PMOS为正电荷）离开端。
S(Source)源极：载流子发射端。
G(Gate)栅极：控制MOS开关的管脚。
沟道：D和S之间形成的导电通道。
衬底：向沟道提供电子或从沟道拿电子，与源极连接。

NMOS是S指向G，PMOS是G指向S。
箭头指向内为NMOS管，箭头指向外为PMOS。

电流方向

• NMOS, D和S是N极性。G电压高于S，电流从D流向S。

• PMOS，D和S是P极性。G电压高于S，电流从S流向D。

导通原理

NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通；
PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低与VDD的电压），这样管子才能导通。