电源

i.MX6中ARM的核心有2个：VDD_ARM_CAP 和 VDD_SOC_CAP，这两个都是由VDD_SOC_IN经过LDO产生。

不同的工作主频，需要的VDD_ARM_CAP电压不同，频率越高需要的电压越高，手册中描述，为保证LDO的正常工作，需要满足VDD_SOC_IN比VDD_ARM_CAP高125mV

主频(kHz) VDD_ARM_CAP电压(uV) 对应的VDD_SOC_IN
996000 1275000 1.4 V
792000 1225000 1.35 V
528000 1175000 1.3 V
396000 1025000 1.15 V
198000 950000 1.075 V

RAM

CPU可以支持以下3种内存

Parameter DDR3 DDR3L LDDDR2
Clock frequency 400 MHz 400 MHz 400 MHz
Bus width 16-bit 16-bit 16-bit
Channel Single Single Single
Chip selects 2 2 2
可支持的内容颗粒密度（256 Mbits–8 Gbits）

总共最大可支持2GB内存

eFUSE

eFUSE是一块配置区域，使用熔丝技术，即只能配置一次（每个bit只能由0写成1）

eFUSE的总大小为256字节：8个bank 8个word * 4个bytes，其中大部分已经被厂家定义了其使用目的，比如启动配置、网口MAC地址等，目前有44 bytes可用于通用目的。